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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	安装类型	包装/外壳	表面安装	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料																				Maximum Drain Source Resistance (MOhm)								厂商																																									操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码
JANSR2N7269U	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	110@12V						不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	26	170(Max)@12V	4700@25V	150000	140(Max)	140(Max)	140(Max)	33(Max)	-55	150	Military	表面贴装	3.58(Max)	16(Max)	11.55(Max)	3		SMD	SMD-1								活跃											3					Single																		N
IRL5NJ024SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	60@10V				供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	55	±16	17	15(Max)@5V	514@25V	35000	66(Max)	133(Max)	35(Max)	11(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD		SMD-0.5	No Lead									活跃											3					Single																		N
IRHNJ7430SESCS_CDDATAPACK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	7.64(Max)	3	SMD-0.5								供应商未确认		无	无	500	750000	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)							活跃											3																							N
IRHNJ67230SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	130@12V	7.64(Max)	3	SMD		SMD-0.5	No Lead	19 A	5.66	INFINEON TECHNOLOGIES AG	活跃	1	Infineon Technologies AG	RECTANGULAR	IRHNJ67230SCS	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3					±20	200	1	Enhancement	功率MOSFET	无	无	8541.29.00.95	出口接触方式	不合规	16	42(Max)@12V	1450@25V	75000	10(Max)	32(Max)	41(Max)	18(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)						活跃	EAR99						BOTTOM	无铅		compliant	3		R-CBCC-N3			Single	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING							N-CHANNEL			0.13 Ω	76 A	200 V	N	60 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JANSR2N7389U	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	350@12V								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	6.5	45(Max)@12V	1200@25V	25000	70(Max)	50(Max)	70(Max)	30(Max)	-55	150	Military	表面贴装	3.22(Max)	7.49(Max)	9.14(Max)	18		LLCC	LLCC	No Lead						活跃											18					单六进制漏八进制源双门																		P
IRHNJ67434	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	2900@12V	无	无	EAR99	不合规								No Lead	SMD-0.5	SMD	3	7.64(Max)	10.28(Max)	2.61(Max)	表面贴装	150	-55	17(Max)	33(Max)	9.3(Max)	17(Max)	75000	1222@25V	35(Max)@12V	10	100	3.4	4	±20	550	1	Enhancement	R6		功率MOSFET						Obsolete											3					Single																		N
IRHNJ67130SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	42@12V	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R6	Enhancement	1	100	±20	4	22	100	10	50(Max)@12V	1730@25V	75000	30(Max)	30(Max)	60(Max)	25(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)							活跃											3					Single																		N
IRHMS67260SCS DATAPACK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	29@12V						不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	45	240(Max)@12V	8045@25V	208000	30(Max)	125(Max)	70(Max)	40(Max)	-55	150	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA		TO-254AA	通孔								活跃											3					Single																		N
IRL5NJ024SCS_CDDATAPACK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	60@10V				供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	55	±16	17	15(Max)@5V	514@25V	35000	66(Max)	133(Max)	35(Max)	11(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD		SMD-0.5	No Lead									活跃											3					Single																		N
IRHYS67230CMSCSA	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	200	16	750000		通孔	10.92(Max)	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA									供应商未确认	无	无						活跃											3																							N
SSM3K15F,LF(T	Toshiba	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	4000@4V	30(V)	Military	SMini	-55C to 150C	±20(V)	1	无							Compliant	EAR99	无	无	小信号	Enhancement	1	30	±20	1.5	0.1	1000	1	7.8@3V	200	-55	150	表面贴装	1.1	1.5	2.9	3	S-MINI	S-Mini	Gull-wing	0.1(A)			卷带				活跃		小信号									3				N	Single		0.2(W)																N
JANSR2N7389_CDDATAPACK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	350@12V	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	6.5	45(Max)@12V	1200@25V	25000	70(Max)	50(Max)	70(Max)	30(Max)	-55	150	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔									不合规						活跃											3					Single																		P					9.22(Max)
IRHNA67260SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	28@12V		不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	56	240(Max)@12V	8120@25V	250000	30(Max)	60(Max)	70(Max)	40(Max)	-55	150	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2													活跃											3					Single																		N
SSM3J35FS,LF(T)	Toshiba	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	8000@4V	150	表面贴装	0.7	0.8	1.6	3	SSM								Compliant	EAR99	无	无	小信号	Enhancement	1	20	±10	0.1	12.2@3V	100	-55		卷带				活跃											3					Single																		P
IRHF67230SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	IRHF67230SCS	无	未说明	-55 °C	METAL		CYLINDRICAL	TO-39, 3 PIN					不合规		200	250000	通孔	4.54(Max)	3	TO-205AF	9.1 A	5.76	INFINEON TECHNOLOGIES AG	活跃	1	Infineon Technologies AG	ROUND						活跃							BOTTOM	WIRE	未说明	unknown	3	RH - 100K Rad(Si)	O-MBCY-W3			SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET				SWITCHING							N-CHANNEL	TO-205AF		0.145 Ω	36.4 A	200 V	N	23 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR			9.22(Max)
SI4599DY	Vishay	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	35.5@10V@N Channel\|45@10V@P Channel								不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	TrenchFET	Enhancement	2	40	±20	6.8@N Channel\|5.8@P Channel	11.7@10V\|[email protected]@N Channel\|25@10V\|[email protected]@P Channel	11.7@N Channel\|25@P Channel	640@20V@N Channel\|970@20V@P Channel	2000	9\|10@N Channel\|13@P Channel	10\|17@N Channel\|12\|33@P Channel	15\|16@N Channel\|30\|28@P Channel	7\|16@N Channel\|44@P Channel	-55	150	表面贴装	1.55(Max)	4(Max)	5(Max)	8		SOP	SOIC N	Gull-wing						Obsolete											8					双排双泄																		N\|P
SI4621DY-T1-GE3	Vishay	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	54@10V	8	SOP	SOIC N	Gull-wing								Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	20	±20	3	5	100	1	[email protected]\|8.7@10V	8.7	450@10V	2000	15	60	22	15	-55	150	表面贴装	1.55(Max)	4(Max)		5(Max)						Obsolete											8					单排双泄																		P
IPC300N20N3X1SA2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Infineon Technologies			Compliant	无	无	Bulk	IPC300N	Obsolete								Wafer	-			活跃
GRP-DATA-IRHSNA57064SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	56	6.5@12V	160@12V	250000	50(Max)	125(Max)	75(Max)	35(Max)	-55	125		表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2								供应商未确认	ITAR						活跃											3					Single																		N
GRP-DATA-JANSR2N7555U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	400@12V	3	SMD-0.5								供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	R5	Enhancement	1	250(Min)	±20	4.5	10	100	10	32(Max)@12V	1016@25V	75000	30(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	Military	表面贴装	2.61(Max)		10.28(Max)	7.64(Max)						活跃											3					Single																		N
IRHF57130	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	80@12V	3	TO-205-AF	TO-39	通孔		TO-39, 3 PIN	CYLINDRICAL	METAL	未说明	150 °C	无	IRHF57130	ROUND	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.21	11.7 A					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	11.7	50(Max)@12V	1038@25V	25000	30(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	通孔	4.54(Max)				e0		活跃	EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)	雪崩额定	FET 通用电源		BOTTOM	WIRE	未说明	unknown	3		O-MBCY-W3	不合格		Single	增强型MOSFET				SWITCHING							N-CHANNEL	TO-205AF	11.7 A	0.08 Ω	47 A	100 V	N	173 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	25 W	9.22(Max)
IRHNJ7430SESCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD-0.5	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	无	IRHNJ7430SESCS	RECTANGULAR		International Rectifier	1	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	8.12	4.5 A						供应商未确认	出口接触方式	无	无	500	750000					无	活跃							BOTTOM	无铅	未说明	compliant	3		R-CBCC-N3	不合格		SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING							N-CHANNEL			1.65 Ω	18 A	500 V	N	150 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
PSMN4R3-100PS	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4.3@10V								符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	20	120	170@10V\|140@10V	170\|140	9900@50V	338000	63	91	122	45	-55	175	通孔	9.4(Max)	4.7(Max)	10.3(Max)		3	Tab	TO-220AB						活跃											3					Single																		N
IRHNJC597034	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1								EAR99	Unknown	Unknown	60								Unconfirmed																																		P
AO3457	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	3-SMD, SOT-23-3 Variant	SOT-23-3	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	3	SOT	SOT-23	Gull-wing	Tape & Reel (TR)	4.5V, 10V	1.4W (Ta)	Obsolete						Unknown	4.3A (Ta)	Unknown	表面贴装	1	1.6	2.9	-55°C ~ 150°C (TJ)		-			Obsolete						MOSFET (Metal Oxide)					3									P-Channel		48mOhm @ 4.3A, 10V	2.4V @ 250µA	520 pF @ 15 V	20 nC @ 10 V	30 V	±20V											-